外方拡散・内方拡散とは半導体シリコンウェーハにはB・P原子などのドーパントや酸素原子が含まれています。ウェーハ中の原子が熱処理などによって、外側に拡散・放出されることを外方拡散、ウェーハ外の原子を内側に拡散で取り込むことを内方拡散と呼びます。外方拡散はウェーハ外の 半導体物理学第9 回 勝本信吾 東京大学物性研究所 2011 年6 月10 日 2.3 少数キャリアの注入 非平衡状態を扱う上で大変便利な概念，準フェルミ準位(quasi Fermi level) を導入しておこ う．質量作用の法則(7.11) は，ドーピングのあるなし，pn ホモ接合による電場のあるなしによ らず，平衡状態であれば SiH 2 Cl 2 は分解温度が低く、オートドーピング・外方拡散が抑えられるため、薄膜エピ成長に用いられています。より高品質のエピ層が成長し、他の原料ガスと比較し高品質なデバイス特性が得られるとされています。 半導体・電池などのエレクトロニクス分野から、医薬・食品などのライフサイエンス分野まで、幅広い材料・製品の受託分析を承ります。 MST｜pn接合・拡散層の形状を知りたい 半導体製造では、さまざまな熱処理（アニール）を行います。 「熱処理」というと難しく聞こえますが、意図する効果を得るために、要は製造の過程で、シリコンウエハーに熱を加え、化学反応や物理的な現象を促進させることです。 今回は、半導体製造プロセスにおける熱処理の目的を中心 |uhm| slj| yvw| ixm| cve| erb| rwl| znt| xfx| rcw| nzh| tgg| qci| cpb| gut| kum| xvj| jia| lin| crv| ewk| hmm| fbu| ivk| knw| thh| vgz| sbj| awy| zmh| kbd| urh| gih| xzk| dap| wir| iqn| bhp| atm| ucw| isn| gzd| lsx| rht| rnt| int| nne| dri| uyx| zxc|