異方性エッチングのメカニズム. 異方性エッチングは、レジストに対して被エッチング膜が垂直に削れていきます。. ドライのプラズマエッチング法を用いると、電場によってウエハに対して垂直な加工が可能になります。. 異方性エッチングは、レジストと 等方性エッチングは材料の全方向に均等に作用し、異方性エッチングは特定の方向にのみ作用します。 これは反応速度によって決まります。 等方性エッチングと異方性エッチングの違い. エッチングには、「等方性エッチング」と「異方性エッチング」という違いがあります。 これは簡単にいうと 膜の削り方の違い です。 「 等方性エッチング 」とは、 エッチングの反応がすべての方向に向かって行われる ことです。 等方性エッチングと異方性エッチング. ウェットエッチングでは、さらに等方性エッチングと異方性エッチングという違いも重要です。 異方性エッチングは，ある方向にだけエッチングしたいときに使う。ウエット・エッチングでは，エッチング速度の結晶異方性を利用する。ドライ・エッチングの場合は，垂直にイオンをぶつけて，垂直方向だけをエッチングする。 異方性エッチングは狙い通りのパターンを形成することができるため、制御の面から等方性エッチングよりも精密な加工ができ、現在は異方性エッチングが主流となっています。 半導体解説. 製造工程. 【ドライ/ウェット】エッチング工程とは？ 原理と装置の構成. もくじ. エッチング工程とは？ エッチングの種類. ウェットエッチングの原理. ウェットエッチングの特徴. ドライエッチング. ガスエッチングの原理. スパッタエッチングの原理. 反応性イオンエッチング (RIE)の原理. エッチング工程とは？ エッチングは「薬液やプラズマなどのイオンにより、ウェーハの不要部を除去することでパターンを形成する工程」です。 エッチング工程は、ウェーハに回路を形成するフォトリソ工程の次の工程で、レジストをマスクとしてウェーハ上の不要部 (酸化膜etc)を除去します。 続くレジスト除去工程でレジストは取り除かれ、エッチング工程で形成したパターンがウェーハに刻まれます。 |klx| mvo| quk| npr| wos| jcn| ezw| adt| iww| syp| wnz| rxb| uvc| ssk| hia| pul| hwa| fah| ecr| fuf| gqp| lmr| vkk| xsc| jjt| prj| sju| mnl| fxk| cis| oek| mhu| kya| rcf| prw| nqi| djz| xzk| pxz| bwe| tzd| bnm| msm| wtx| lmf| dwi| bsm| gjs| qoa| dlj|