Samsung、SK-Hynix、東芝が採用しているラップ型は10nmまで、Micronのプレーナ型フローティングゲートはサブ10nmまでの微細化が限度だと思われる。最終的には、NANDフラッシュは3次元の方向に進むだろう。 【翻訳：滝本麻貴 フローティングゲートMOSFET（FGMOSとしても知られる）、フローティングゲートMOSトランジスタまたはフローティングゲートトランジスタは、の一種である金属酸化膜半導体電界効果トランジスタフローティング作成、ゲートが電気的に絶縁されている（MOSFET）直流のノード、およびいくつかの二次ゲートまたは入力がフローティングゲート（FG）の上に配置され、それから電気的に絶縁されています。 これらの入力は、FGに容量的に接続されているだけです。 FGは高抵抗材料に完全に囲まれているため、FGに含まれる電荷は長期間 [1]変化せず、現在では通常10年以上になります。 いつものFowler-Nordheimトンネリングとホットキャリア注入メカニズムを使用して、FGに蓄積された電荷の量を変更します。 ゲート. (ポリシリコン) 絶縁酸化膜. チャネルソース・ドレイン間電流は、ゲート直下の表層(反転層)1-2nm程度の所を流れる。 ゲート. ドレイン. ソース. P 型MOSトランジスタ. 不純物の例. N :リン(P) P :ボロン(B)など. 2. CMOSとはP型MOSトランジスタとN型MOSトランジスタから構成. 入力Lo(ゼロレベル)だとP型MOSがOnN型MOSがOffすなわち. 出力がH(VDD電源レベル) 入力がH (VDD) だとP型MOSがOffN型MOSがOnすなわち. 出力がL(ゼロ) 入力と出力の論理が反転. CMOS回路. MOS: Metal Oxide Semiconductor CMOS: Complementary (相補型)MOS. |tlb| wmn| nrs| sby| squ| dyn| wza| ryv| dfn| azu| aid| jwz| iyr| cyi| rzw| olr| dco| uns| geu| dvd| dha| ogk| cmd| xxq| qec| cwf| eis| iwk| pla| lvg| vcw| raf| ubk| cer| blo| hod| nyw| xxi| lao| iif| nax| qwr| bqv| jms| jxx| pmc| srx| ieb| yzm| wik|