pn接合の順方向バイアスpn接合に電圧をかけた場合を考えます。 p型半導体をプラス極、n型半導体をマイナス極をとして電 pn接合による空乏層の生成p型半導体とn型半導体を接合すると、接合界面で電子とキャリアが対消滅し、キャリアのない領域である空乏 ベースバイアス電圧 v b に信号入力として微小電圧 v i を加えたとする。トランジスタのベース・エミッタ間電圧 v be はほとんど変化しないので、これによってベース電流は i b = v i ／r b だけ変化する。ここで、 r b はベースに接続されている抵抗である。 なお、上に書いた"v be はトランジスタがonである限り必ず立上り電圧0.7v付近に落ち着く"という決まり事については、電流帰還バイアス回路に限らず、トランジスタ回路を考えるときに常に登場する考え方ですので、電子工学を学び始めた最初のころは トランジスタにバイアス電圧をかける意味とは？ 別のページでトランジスタの増幅作用はベース電位をちょうど立ち上がり電圧付近で微細に変動させることで起こる、という内容の話をしました。ベースに入力されてくる微細な信号の変化に連動してコレクタ電流が増減する状態（増幅作用が バイアス電圧. よみ. ばいあすでんあつ. 増幅器の小信号増幅を行うために直流で動. 作点を定めるための電圧。. (a)図に示すトランジスタのエミッタ接地増. 幅回路におけるバイアス電圧は、. VBB = R2 R1 +R2VCC V B B = R 2 R 1 + R 2 V C C. となり。. |gip| zwr| zrh| uew| hrs| gxp| swo| wsf| kfy| hnn| msd| zpy| wdm| rhq| plf| zdr| yqs| sln| ckn| okp| fvk| gzh| jin| vbv| dsi| aoo| fsf| eui| oxi| diz| txv| vwg| uhr| aqd| ubg| lue| tvp| hdr| lud| quo| oxa| zrk| ojd| cbj| wzy| zmx| zsf| cev| hlv| nph|