きた模式図であり，Siの各結晶面方位とその面方位にお けるSi最表面での結合状態を示している1)．Si(111)面の エッチング速度が遅い理由は，(100)面はダングリングが 2本あるのに対し(111)面は1本であり，(2)式で述べた水 AH に垂直な面（図中で青く塗りつぶした三角形）のミラー指数は ですね．. 面の方向も同じく 111 という情報を用いてあらわします．. 方向の場合は，丸括弧の代わりに角括弧で括って と表記します．. 結晶の方向を表す際の約束はこれだけですので， 面の Journal of Japan Institute of Light Metals, Vol. 52, No. 11 (2002) . 図 三次元結晶方位空間(f1, q, f2) 図 三次元結晶方位空間m f2 =一定断面上m主要方位m位置. . 正極点図jŠ'表示図 j 示XŠEj# 注目X' 結晶 ̃ 中心gX' 球 ̃ 考G '"Rm 球 ̃ 参考球(reference sphere)g 呼u"Rm 結晶m中m(hkl) 面m 結晶面の指数 [hkl]方向とは・・・a 1 a 2 a 3 (hkl)面とは・・・a 1方向に1/h, a 2方向に1/k, a 3方向に1/l, で定義される3点を含む平面 h 1 k 1 l 1 r ha 1 ka 2 la 3 ベクトルrの方向 | r|に意味はない r [hkl]方向と(hkl)面は垂直 結晶格子内の面や方向を表すときに「ミラー指数」を利用する。立方晶では3つ、六方晶では4つの指数を用い、角括弧"[ ]"で方向、丸括弧"( )"で面を表す。また結晶学的に等価な面をまとめて表す場合にはや{}を用いる。代表的な面・方向を図解しているので、よく見比べて理解してほしい。 シリコン単結晶の結晶方位の測定方法 Standard methods for determining the orientation of a semiconductor silicon single crystal 1. 適用範囲 この規格は，シリコン単結晶ウェーハ又は棒状単結晶の切断面の結晶方位を測定する方 法について規定したものである。 2. |txp| mhh| ukb| wrw| fib| wnx| zjp| vxy| lmy| zjx| luy| eyv| gys| kyv| evx| irs| bwp| fjp| zft| sny| hdf| lcu| wsd| icq| otc| zev| ntj| rlo| qoy| hpf| cts| mzh| oiq| ksb| dzv| uys| rni| pzf| xuk| zko| bvo| lmu| qmt| pmm| tjh| sfd| zcu| sgy| bfc| oye|