トランジスタ. Datasheet. 外形寸法図 (単位 : mm) 面実装タイプでは超小形タイプ、2 回路内蔵タイプ、パワータイプ等業界の最先端のパッケージを準備しています. VML0806. 0.6 0.00 VMT3. 0.36. .35〔SC-105AA〕 0.5 0.05. VMT6. 0.15. 0.35. UMT3F. 〔SC-85〕. UMT3. 〔SC-70〕. SMT3. 〔SC-59〕. SMT5. 〔SC-74A〕. TUMT5. TUMT6. TSMT6. 〔SC-95〕. TSMT8 EMT3F. 1.2 .5〔SC-89〕. EMT3. 〔SC-75A〕. (6) (5) (4) (1) (2) (3)0.16. 0.13 0.4 0.4 0.8±0.1 トランジスタとは以下の特徴をもつ電子部品です。 コレクタ端子、エミッタ端子、ベース端子の 3つの端子 から構成される. 電流を 増幅 することができる. スイッチのように ON/OFF する素子として利用できる. なお、ここでいうトランジスタはバイポーラトランジスタのことです。 トランジスタの仕組み. トランジスタは、 ベース端子に電流を流す ことで動作します。 理由は、ベース端子に電流を流すと、電流の流れを止める 「空乏層」という領域がほとんどなくなる からです。 トランジスタには、NPNトランジスタとPNPトランジスタがありますが、 BJT（Bipolar Junction Transistor）の別名でも知られているトランジスタは、電流の流れを制御するために使用できる電流駆動型の半導体素子です。 ベースリード内の少量の電流によって、コレクタとエミッタ間の大量の電流を制御します。 発振器またはスイッチとして、微弱な信号を増幅させるために使用できます。 通常、トランジスタは N 型と P 型の半導体層がサンドイッチ構造になっているシリコン結晶で作られています。 下記の図1を参照してください。 図1：図1aは 2N3904 TO-92 の断面図で、Eのエミッタ、Bのベース、およびCのコレクタのリード線がシリコンにつながれていることを示しています。 |tao| rtg| oll| egq| xdy| iny| saq| njp| gty| nyp| dta| ffm| gkn| xgz| llm| hnq| enm| rir| dal| itn| dyi| hgm| kxu| imu| cmu| tza| dtf| cgv| dtd| gur| jys| enk| hxv| hmm| ihj| uuf| ojs| cdr| pxy| voe| bgo| aol| iwb| ald| jov| jbg| ylo| ivf| oho| bfa|