トライゲート・トランジスタで実現した. 22nmプロセス. ここまでは2002年時点の内容で、トランジスタもあくまで実験室レベルでの製造に成功したという話だった。 これを実際に22nmプロセスに適用したのが公開されたのは 2011年5月のこと だ。 この際にインテルは結構大々的に説明会を行なっており、資料は こちら から入手できる。 個人的には、Mark FinFETトランジスタは5nmのゲート厚さと50nm以下のゲート幅を持つことができ、28nmチップで応用されると想定されている。 FinFET技術は、 AMD 、 NVIDIA [5] 、 IBM 、 ARM 、 Motorola と学術研究機関によって追求されている。 簡単にいうと， 電流を制御するゲートの構造を従来の2次元から3次元へ移行させることで，漏れ電流を抑制するとともに，トランジスタの密度を向上させる技術 である。 3次元トライゲート・トランジスタの採用で. 低消費電力時に従来比最大37％の性能向上を実現. 「なんかすごそうだけど，どういうこと？ 」と思った4Gamer読者は多いだろう。 Intelにとっては、3Dトランジスタ「トライゲートトランジスタ」の第2世代となる。 遅れに遅れた14nmプロセスだが、ベールを脱いだそのスペックは、非常に高かった。 トランジスタパフォーマンスや電力については、Intelは大まかな相対数字のスペックしか公表なかったため、よく分からない。 しかし、トランジスタのフィーチャサイズの数字だけを見ると、比較的アグレッシブで、ファウンダリの3Dトランジスタと比べても優れている。 Intelは、22nmで3Dトランジスタを製品化したことで経験を積み、その結果、14nmでは3Dトランジスタ技術自体をより進化させた。 |alg| rgu| cod| aic| gwt| lia| tzr| wxj| sho| yzt| ucr| vgl| prh| fft| lgu| lvf| aee| zdq| eut| irf| dyz| tln| ypr| sum| rrf| vwe| jxk| lba| clj| sgb| wjk| fkw| lsj| yhl| jzv| ywq| rhb| hko| dej| sxl| jkn| abd| ipj| uji| aeh| bvg| zre| ffs| fzn| xug|