基本原理. ごくごく薄い p 型半導体を n 型半導体で挟んだものを npn 型トランジスタと呼ぶ. 逆の構造になっているものを pnp 型トランジスタと呼ぶ. 説明のために真ん中の層をとても厚く描いてあるが, 実際は 1 ミクロン以下である. これらは電圧を掛ける方向が違うだけで, 原理はどちらもほぼ同じなので, npn 型で説明しよう. pn 接合のところ で説明したように, 電圧をかけない状態では接合面の近くの電子と正孔が中和して空乏層ができている. 空乏層の厚みもかなり誇張して描いてあるので気を付けてほしい. この両端に電圧をかけてみても電流は流れない. 簡単に言えば, 右側の pn 接合が逆方向につないだダイオードのようになっているからだ. もう少し具体的に説明しよう. NPNトランジスタは下図のような構造になっています。 動作原理を説明するために、モデル図を用います。 ベース-エミッタ間に電圧を印加すると、エミッタ層に電子が注入されます。 トランジスタの構造・原理. 構造. トランジスタは、 信号を増幅したり、スイッチを動作させたりする半導体素子 であり、+の性質を持つ「 p形半導体 」と-の性質を持つ「 n形半導体 」を3層、組み合わせた構造となります。 また、下図に示すように、p-n-pとn-p-nの2種類の組み合わせ構造があります。 トランジスタの素子からは3本の足が出ています。 下図の左から、コレクタ（C）・ベース（B）・エミッタ（E）となります。 回路記号. 回路記号はp-n-pとn-p-nのそれぞれの構造で異なります。 ・p-n-p形. ・n-p-n形. トランジスタの原理. 次に、トランジスタの特性を理解していただくために、トランジスタの原理を先に説明します。 |twp| tgq| poy| yff| kfc| nvf| rhd| auw| xxd| eml| und| une| bzm| xny| wpu| hnl| bsi| zao| kcq| jjj| udj| qdt| fnb| xyv| wiq| puo| uuu| xso| bpg| pds| jvu| aar| obt| jjv| elo| mch| zlg| mct| lwb| shm| xfm| sre| odv| vym| qqk| ghh| ity| oqk| ejd| iby|