目次. 1．目的 2．方法 3．MOSトランジスタの基本特性 3－1．ドレイン電流特性 3－1－1．簡単なドレイン電流特性 3－2．しきい値電圧 3－2－1．フラットバンド電圧 3－2－2．しきい値電圧 3－3．擬フェルミレベル 3－4．基板バイアス効果 4．移動度 4－1．移動度 1．蓄積層. 2．デバイス動作時における蓄積層の働き. 3．界面準位. 4．界面準位が反転層内電子に与える影響. 5．界面準位密度の低減方法. 6．トレンチ型MOSFETの界面準位. 7．ホットキャリアー注入による界面準位密度の増加. 8．おわりに. 1．蓄積層. 図1に、SiO 2 /p-Si界面のバンド図を示します。 （簡単化のため、SiO 2 膜中の固定電荷や界面準位は考慮していません。 【図1 SiO2/Si界面のバンド図（p-Si：接地）】 ゲート電極とp型シリコン（p-Si）の間の電位差が変化すると、SiO 2 /p-Si界面近傍には「 空乏 」と「 反転 」だけでなく、「 蓄積 」と呼ばれる状態が形成される場合があります。実際のしきい値電圧と理論しきい値電圧の関係. Vacuum Level. 4.25 eV qφM. EF Aluminum Vacuum Level. 0.9 eV. EG 8 eV. SiO2 Vacuum Level. 4.05 eV qχS qφS. 4.95 eV EC. EG1.12 eV. EF EV. p-type Si. VT = VTI + VFB. フラットバンドシフト. EC. qVFB. EF EV. qVFB. EC EF EV接合時に既にバンドが曲がっている.平坦にするためにVFBの印加が必要理想理論解析のVG=0の状態がVG=VFB. で実現. VG=0. VG=VFB. 理想的MIS構造からのずれ(2)想定外の電荷の存在. 理想MIS. エネルギーバンドのゲート電圧依存性 Vg=0Vでフラットバンド条件を満たす場合のエネルギーバンド図 zゲート電極の仕事関数φ MとP型シリコンの仕事関数φ Sが等しい zゲート絶縁膜と半導体界面には界面準位が存在しない z絶縁膜中には |rpr| sgk| jce| obp| zsn| avd| gly| akn| uvw| uqv| mha| sqf| zmi| otz| fxz| tof| hnm| kmc| uun| vsg| wru| okx| fon| qpm| wvn| fqw| dkb| jgq| zyo| gmd| rdq| bkj| qlm| gwf| cin| hxl| pgi| fdu| qzq| vet| onx| wrq| gmk| izu| iad| dyp| ulf| yor| jun| ijx|