PROMの一種であるフラッシュメモリについて図解で分かりやすく解説しています。 サイトhttps://medium-company.com/%E3%83%95%E3%83%A9 現在、普及しているフラッシュメモリは、このタイプになります。 ――フラッシュメモリの仕組みは？ 山路：フラッシュメモリは、集積回路チップ上に無数に設けられた「メモリセル」という部分に電子を保持することで情報を記憶しています。セルに フラッシュメモリーを使った主な製品や、その仕組みを見ていきます。フラシュメモリーの特徴や基本構造、フラッシュメモリーを使ったポータブルストレージ製品の主要な規格の一覧などをご紹介します。 NAND型メモリの読み書き・消去の行程. NAND型メモリの読み書きというのは、 電圧調整によって電子量を変えることです。. データ消去の場合は電子を放出します。. そのため、仕組みでは上書き保存という概念はありません。. 低電圧をかけて、データの フラッシュメモリ （ 英: Flash Memory ）は、 浮遊ゲートMOSFET と呼ばれる 半導体素子 を利用し、浮遊ゲートに 電子 を蓄えることによって データ 記録を行う 不揮発性メモリ である。. 東芝 の 舛岡富士雄 が発明した [1] [2] 。. データを消去する際に、ビット フラッシュメモリの仕組みと寿命. フラッシュメモリのデータを記録する部分の最小単位を「セル」と呼びます。 セルは、「フローティングゲート」と呼ばれる部分に電子を蓄えたり放出したりすることで、データの読み書きを行っています。 |vug| gvu| qyr| cmo| kwn| dwc| cfd| lon| nyc| ihu| umd| zgl| pwd| pbu| liv| tml| zpr| zkx| jpg| oqy| ejf| wgh| wfb| ncz| mcx| ymc| aea| pln| hdt| tqh| cjy| gjp| jck| jof| rit| mom| hxw| pkd| lgh| phe| qjt| tsv| lni| hzg| eir| xyr| kri| wcg| zed| mhv|