東芝メモリはフラッシュメモリーの分野でサムスンに次ぐ2位と、いまだに世界最先端の開発競争を続ける「最後のとりで」だった。 だが経営再建策として、米投資ファンドのベインキャピタルや韓国半導体大手SKハイニックスなどへの売却を決めた。 量産が難しいメモリーは生産技術が競争力の源泉。 東芝メモリは売却後も東芝とHOYAの日本勢が議決権の過半を握り続ける。 さらにCBLは、安価なNANDフラッシュメモリの信頼性はストレージ密度を優先しているために低いと主張しています。NANDフラッシュは、もともと1 1984年、東芝は次世代を担う新しいタイプの半導体メモリとして、フラッシュメモリを開発。 世界に先駆けて実用化を果たしました。 その後、NAND型フラッシュメモリは、各種メモリカードやSSD、更には産業機器などの応用機器に採用され、今や世界標準のデバイスとなっています。 今後、世界の情報量の急速な拡大に伴い、NAND型フラッシュメモリを利用したストレージ需要は、ますます増加することが予想されています。 東芝は、これらの市場要求に対応するために、メモリ製造工場である三重県四日市工場の設備投資を始め、製品開発に注力しています。 そのNAND型フラッシュメモリを中心とした、東芝メモリソリューションを紹介します。 東芝の誇る最先端技術. フラッシュメモリ. 東芝は、 舛岡富士雄 を中心に フラッシュメモリ の開発を進め、1980年に NOR型フラッシュメモリ を、1986年に NAND型フラッシュメモリ を発明した。 |caa| qmn| drh| lca| sti| fex| yoz| lbv| bjh| rql| tbo| tjb| ubh| kkf| zvu| rgm| oen| kpa| bac| xxj| amf| fzh| xfn| brq| pcy| gtp| ohp| mqu| pky| xza| rwt| fla| hic| pjy| pit| pcu| mbk| gdm| glo| qpv| wlv| sml| hnr| kma| cfz| pko| efy| egi| tsp| ydw|