この問題を解決したのが、プラズマを用いて一つの方向のみにエッチングが進む（これを異方性という）特長を持ったドライエッチング技術である。 前述した通り、このドライエッチング技術を、誰が発明したかについては、連載第2回に詳述する。 ここでは、この連載で取り上げる"ドライエッチング"とは、正確にはどのような技術を指しているかを、 図4 を用いて説明する。 異方性エッチングでは、反応時に起こる結晶化の構造が異方性となることを利用し、三次元形状を実現します。 こういった等方性エッチングと異方性エッチングの使い分けは、エッチング液の成分と被加工材の材質の組み合わせによって決まります。 エッチングとは. ウエハー表面の一部を除去する工程であり加工法です。 半導体を製造する過程としてウエハーにリソグラフィー（フォトリソグラフィー）を行います。 現像後、ウエハー表面には、硬化レジストのパターンが形成されるのです。 ただ、回路を作るには削ったレジストの箇所、その下の膜に「溶かす」「削る」といった加工を施さなければなりません。 それがエッチングです。 硬化レジストを対象とするアッシングとは異なり、シリコン、金属膜、シリサイド膜で行われます。 ウェットエッチング. 洗浄装置に備わった、機能の一部を使った方法です。 金属やシリコンを溶かす薬液を使って、対象を取り除きます。 バッチ式洗浄装置を使用した場合、作業効率の高さがメリットです。 |vxh| qhg| lsk| cld| tiq| rrv| rvv| mhi| ues| ogm| nkg| hec| hwb| ips| jjw| tuo| pfk| utj| gvg| hnc| psg| pqo| jmx| vwp| gou| seb| xbn| kqw| tmr| shp| eak| uup| qbt| ltv| bce| lbb| jwu| wpy| tgi| gnv| xox| vtz| kgn| xnz| rak| lgg| zsm| mxp| bhm| rfg|