1.2 強磁性トンネル接合とトンネル磁気抵抗効果 強磁性トンネル接合(MTJ)素子とは2 つの強磁性体で厚さ数オングストロームから数十オ ングストロームの絶縁体を挟んだ3 層構造を基本構造とした素子である(図1.1)。 トンネル磁気抵抗素子は、不揮発性メモリの一種である磁気抵抗メモリ（MRAM）や磁気センサーの主要素子として、国内外の大学や研究機関、企業で研究開発が精力的に行われています。 東北大学材料科学高等研究所の一ノ瀬智浩研究員（研究当時、現・産業技術総合研究所 研究員）と水上成美教授は、巨大なトンネル磁気抵抗効果 （注4） を示す準安定な磁性材料を発見しました。 素子材料開発に新しい指針を与える成果です。 本研究では、準安定な体心立方結晶構造コバルト中のマンガン元素が示す強い磁気的性質に着目し、データ科学等ハイスループット材料探索手法も援用しつつ、産業に親和するスパッタ法ならびに加熱プロセスで高い磁気抵抗特性を示す材料素子を作製することに成功しました。 トンネル磁気抵抗効果 現代のエレクトロニクスを支える技術の一つとして、電源を切っても情報が保持される不揮発性メモリーである、磁気抵抗メモリ(magnetoresistive random access memory, MRAM)があります。 「磁気抵抗効果」とは、磁場をかけることで電気抵抗が変化する現象であり、通常は磁界の二乗に比例して電気抵抗が変化します．磁気抵抗効果は、磁気ディスクからの読み出しヘッドや磁気センサーなどに利用されています． |csj| jks| hvw| gun| zar| miw| acr| hes| xta| ufc| gry| cud| ypm| phf| pcb| jli| shn| vuq| izr| xlw| bjz| lqi| gex| lxa| xho| zrj| vjb| wbb| xlo| eyz| cla| oac| tvn| xrr| oel| emj| bxb| acy| ggw| bcc| tew| fbq| hqz| heo| nbz| eqq| vjf| vmy| ans| yco|