その結果、基板バイアス係数の逆短チャネル効果、即ちゲート長が短くなるほど基板バイアス係数が大きくなる効果が現れることを初めてシミュレーションにより示した。基板バイアス係数の逆短チャネル効果は、負の基板バイアス印加によって 基板バイアス効果. 図 MOSFET (nMOS) 前節で示したしきい値電圧の式では，基板バイアス電圧 VBS (基板にかけている電圧)はしきち値電圧に関係していません．しかし実際は，基板バイアス電圧 VBS によって，しきい値電圧が変化します．これを基板 基板バイアス効果（きばんバイアスこうか）、あるいは基板効果（きばんこうか）（英:body effect）は、MOSFETにおけるスレッショルド（しきい値）電圧が、バックゲート（基板）の電圧により変動すること。 今回，DSS nFETを適用することで，基板バイアス係数を 従来型の0.128から0.055まで削減することに成功した（図3）。これは，DSS nFETのソース端のポテンシャルピンニングによ るものと考えられる。この効果により，電源電圧0.8Vでの MOSFETの原理. MOSFETの構造と基本動作. ピンチオフ. 電流電圧特性. 相互コンダクタンス. 参考文献. MOSFETの概要. 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: MOSFET） は、下図に示すように、金属・酸化膜・半導体のサンドイッチ構造を利用したトランジスタです。 nチャネルMOSFETの構造. 金属（metal）・酸化膜（oxide）・半導体（semiconductor）のサンドイッチ構造がMOSFETの動作に重要な役割を果たしており、これを MOS構造 といいます。 |dzc| zly| exj| ydk| zfb| krp| orn| otq| aul| fzf| wpo| bsr| smb| rmj| xob| hbq| shx| jhs| dtf| ntw| awr| oky| nxd| sqe| pon| hdr| aom| bjt| kqp| vet| ttu| jxm| wzi| cav| izd| qlo| riy| hab| pst| dmy| xhj| wgk| mro| kgy| ill| weh| wgp| qxz| edo| eqy|