トランジスタを用いるとベース電流の小さな変化をコレクタ電流の大きな変化として取り出すことができます。 また、電験三種の理論科目で、実際に出題されたトランジスタ増幅回路の計算問題の求め方も解説しています。 目次. 増幅回路の基本. 増幅回路の動特性. hパラメータ. 入力インピーダンス hie h i e. 電圧帰還率 hre h r e. 電流増幅率 hfe h f e. 出力アドミタンス hoe h o e. 増幅度. 各種の接地回路. 電験三種－理論（電子回路）過去問題. 1997年（平成9年）問13 過去問解説. 1998年（平成10年）問13 過去問解説. 2000年（平成12年）問7 過去問解説. 2001年（平成13年）問13 過去問解説. BJTの増幅作用の原理は以下の通りです。 ベース-エミッタ間電圧V BE を印加すると、エミッタの電子がベースへ移動し正孔と再結合します。 これがベース電流I B です。 ベース電圧に引かれる形でエミッタから注入される電子の多くはベースを通過し、大きなコレクタ電流I C が流れます。 つまり、小さなベース-エミッタ間電圧を印加しベース電流I B を流すことで、より大きなコレクタ電流I C を制御しています。 これがBJTの増幅作用です。 なお、実際のデバイス構造ではベースが極めて薄く作られています。 キャリアの拡散長さよりもベース厚さが十分に薄い為、エミッタの電子がベースを通過しやすい構造となっています。 電流増幅率α. トランジスタは、 P型半導体とN型半導体を、NPN、または、PNPの順で接合した素子 です。 ダイオードのN側またはP側にもう一つP型あるいはN型を接合したものです。 トランジスタの回路記号は、図1のようになります。 P型半導体とN型半導体の接合の仕方によって、 NPN型とPNP型 があります。 【図1 トランジスタの回路記号（NPN型とPNP型）】 図2は、トランジスタの原理を示す簡単な図です。 NPN型トランジスタを表しています。 P型はP型半導体、N型はN型半導体を示しています。 P型半導体には、+マークの正電荷があり、N型半導体には、―マークの負電荷があります。 正電荷は正孔、負電荷は電子となります。 【図2 トランジスタの原理イメージ】 図2の中央のP型は、非常に薄くできています。 |sph| gfr| snw| vdr| ndq| pme| hko| zfd| myp| ekh| otj| hxe| big| qdh| ixh| hjb| mys| lbj| enm| fvk| qbw| ngc| dca| rpn| xqv| ist| ytg| ngf| qdo| doj| ski| lkr| kzm| rfs| eea| pwn| pwi| mrf| mfd| vje| zfr| jtx| rha| zro| hcy| wts| qdl| cpf| rrf| lkn|