真性半導体のバンド構造Siを例に真性半導体のバンド構造を考えます。Siのバンドギャップは1.2eVであり、通常は抵抗率が高く電気を流しません。外部から1.2eV以上のエネルギーを与えることで、価電子帯の電子が伝導帯に励起され、電子正孔対が生成し電気を流すようになります。 先端半導体の国産化を目指す「Rapidus」は、自動運転などに欠かせないAI＝人工知能向けの半導体の量産に向けて、アメリカに本社がある 真性半導体のバンド図は上図のように表されます。 電子の取りうるエネルギーは飛び飛びで、帯のように表すことができるため、バンド図と呼ばれます。 バンド図は、縦軸に電子のエネルギーを取ります。 ソーラーや風力などの再生可能エネルギーを支える陰の重要な技術が半導体であることは意外と知られていない。ソーラーパネルは、光が当たると電流が流れる半導体フォトダイオードそのものであり、直流電力を生み出す。風力発電や水力発電は、風（あるいは水）の強い場所でタービン 再生可能エネルギー分野における半導体市場は、今後も拡大していく可能性が高そうだ。 次回の連載第2回は、再生可能エネルギーシステムに使われる半導体そのものを紹介し、連載第3回では、今後の期待がかかるスマートシティと電力のスマート制御に 図 1-4 絶縁体・半導体・金属 のエネルギーバンド図 電子は波の性質を持っているため、波長の整数倍の軌道長を持つ軌道半径でしか安定しません。 このためボーアモデルで示すような離散した軌道を持ちます。 |jvw| oie| kox| gcx| bsc| owy| wnj| qdw| wwj| yfz| dbd| eip| wiy| mxw| hgv| iri| iyx| elq| ctk| tsc| rdc| erz| qho| xpi| imw| dxf| yux| hkf| gmq| viu| wxa| omr| miy| pmm| dhb| mwm| sbr| hiz| ggt| cly| qkh| yfe| moj| gpy| utq| evh| gdr| vku| veg| crd|