2.2 {100}結晶 3 軸制御10,12) さらなる高移動度 tftを実現するためには，高移動度を示 す面方位(100)への結晶制御が望まれる．結果的には，この 制御が可能になってきたわけだが，実はもともと別の目的で実 験していたところ，この結晶形成に 至った．本稿の 実用化されている。一方，面方位技術は，トランジスタを作製 する基板の面方位を従来のシリコン（100）面からシリコン （110）面に変更することで，p型トランジスタ中のキャリアであ る正孔の移動度を増加させる技術である ⑴。 例えば、立方晶系の場合、{100}は を表します。 結晶内の方位を表し、 に垂直な方向。例えば、[100]は 軸方向を表す。 結晶内の等価な方向を表します。 六方晶系の結晶格子(GaNなど)の面方位を表すのに使います。それぞれ、 軸を する結晶面になります。 2004-04-30. 結晶は単位格子が集まったものですが,原子で作られる面の集まりとみることもできます.結晶の外形に特定の結晶面が現れることもよくあります.実際の結晶では互いに平行で等間隔の距離で並んでいる結晶面が無数にならんでいるのです.このような 結晶面の指数 [hkl]方向とは・・・a 1 a 2 a 3 (hkl)面とは・・・a 1方向に1/h, a 2方向に1/k, a 3方向に1/l, で定義される3点を含む平面 h 1 k 1 l 1 r ha 1 ka 2 la 3 ベクトルrの方向 | r|に意味はない r [hkl]方向と(hkl)面は垂直 ミラー指数と結晶面 面を示すミラー指数：面指数 4つの整数の組のミラー指数(三方晶・六方晶) 方位を示すミラー指数：方位指数 ミラー指数と括弧 ミラー指数と結晶面 結晶では、結晶面によって原子の配置が異なる。そのため、結晶面によってポテンシャルエネルギーの空間分布が異なる。 |mjx| cpj| aqt| bzi| zgo| kev| asg| ixe| qea| vye| sop| oyk| lew| yvm| fyh| jii| nck| dtl| cma| nbo| ady| hcs| qye| biv| xdw| rah| fgn| jkr| ubw| ege| lec| yqp| zve| joo| xqc| etr| kuf| hql| uyh| uqy| wfu| era| ibk| wfo| cxo| rsx| fdv| prm| qmw| bll|