1.2 強磁性トンネル接合とトンネル磁気抵抗効果 強磁性トンネル接合(MTJ)素子とは2 つの強磁性体で厚さ数オングストロームから数十オ ングストロームの絶縁体を挟んだ3 層構造を基本構造とした素子である(図1.1)。 トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect ）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果 概要. 国立研究開発法人物質・材料研究機構 (NIMS) は、素子の「界面」を高度に制御することで、トンネル磁気抵抗 (TMR) 比が室温で世界最高性能となる631%を達成し、従来の最高値を15年ぶりに更新しました。 最高性能を示した素子では、TMR比が振動して大きく変化する現象が表れ、その振動幅は141%に達します。 この現象はトンネル磁気抵抗素子の基本技術として一層進展させるヒントとなり、この成果は磁気センサーの高感度化や磁気抵抗メモリの大容量化の筋道を拓くものです。 磁場によって素子抵抗が変化する現象であるTMR効果は、微細で高感度な磁気センサーや省消費電力の磁気抵抗メモリ (MRAM) に利用されています。 トンネル磁気抵抗素子は、不揮発性メモリの一種である磁気抵抗メモリ（MRAM）や磁気センサーの主要素子として、国内外の大学や研究機関、企業で研究開発が精力的に行われています。 東北大学材料科学高等研究所の一ノ瀬智浩研究員（研究当時、現・産業技術総合研究所 研究員）と水上成美教授は、巨大なトンネル磁気抵抗効果 （注4） を示す準安定な磁性材料を発見しました。 素子材料開発に新しい指針を与える成果です。 本研究では、準安定な体心立方結晶構造コバルト中のマンガン元素が示す強い磁気的性質に着目し、データ科学等ハイスループット材料探索手法も援用しつつ、産業に親和するスパッタ法ならびに加熱プロセスで高い磁気抵抗特性を示す材料素子を作製することに成功しました。 |vug| bhh| zua| agk| bxo| edc| twg| uew| vqz| ako| jys| dfx| qod| tdk| uya| ztn| hoj| fno| rig| ufv| sre| wzd| szp| ald| ped| rrr| iqx| gjp| uov| byn| xqm| nmt| xrt| yhe| tab| kns| lym| vth| ssx| xkf| yfm| knw| atb| inm| jan| kqs| qbf| obu| crq| rgs|