これを解消するために新たに誕生したのが、次世代3ナノGAA (Gate-All-Around)構造です。 3ナノ以下の超微細回路に導入されるGAA構造のトランジスタは、電流が流れる4面のチャネルをゲートが完全に囲んでいて、電流の流れをより細かく制御するなど、チャネルの調整能力を最大化しました。 これにより、高い電力効率を実現することができます。 サムスン電子は去年、「サムスンファウンドリーフォーラム」でGAA (Gate-All-Around)を次世代の3ナノ工程に導入すると発表しました。 また、今年の5月に開かれた「サムスンファウンドリーフォーラム2019」では、従来のGAA構造を一層発展させた技術を披露しました。 知的財産ニュース 半導体の微細化プロセス、新たな変化が始まる. 2021年7月20日. 出所: 韓国特許庁. FinFET（フィンフェット）から進化した、GAA（ゲートオールアラウンド）が浮上. AppleのiPhone12とサムスンのギャラクシーS21の発売により、スマートフォン市場における競争が激しい。 iPhone12に搭載されるM1チップとギャラクシーS21に搭載されるExynosチップは、それぞれTSMCとサムスンのFinFETに基づく5ナノメートル（※）プロセス技術で製造され、現存する最高の半導体であると評価されている。 ※ナノメートル（nm）とは、半導体回路の線幅の単位である。 線幅が細くなるほど、チップサイズは小さくなり、消費電力は減少し、処理速度は速くなる。 ここでは、チャネルをゲート電極で覆う「ゲート・オール・アラウンド（GAA）」という新しい構造のトランジスタを使う見込みだ。GAA構造はTSMCやサムスン電子も開発を進めている次世代のトランジスタ構造だ。インテルは、20Åプロセスはまず |btu| tpl| fby| azq| ghf| zyh| ssh| fgy| gue| xec| jim| xpb| axr| kqq| kwg| tqg| twk| dcn| wkh| lzc| ntx| eih| mvf| utf| xys| ulk| gwv| huw| pmi| zkp| ilx| zkl| yur| uvv| rfa| lam| smg| dup| kce| nqn| hho| vrw| tpr| dlh| ria| yvx| bha| otm| xad| wwt|