キーワード：間接遷移型半導体, 直接遷移型半導体, エネルギーギャップ, ドリフト移動度, 有効質量, 原子半径. Keywords: indirect semiconductors, direct semiconductor, energy gaps, drift mobility, ffe mass, atom radius. ア 直接遷移型では、波数が変わらずに遷移できるから、普通に光を放出できる。 イ 間接遷移型では、波数の変化に応じてバンドギャップより長波長の光が放出される。 間接遷移型半導体と直接遷移型半導体に関する一考察 : 半導体遷移型の新しい解釈 | CiNii Research. 高田 育紀. 書誌事項. タイトル別名. カンセツ センイガタ ハンドウタイ ト チョクセツ センイガタ ハンドウタイ ニ カンスル イチ コウサツ : ハンドウタイ センイガタ ノ アタラシイ カイシャク. A Reconstruction on the Indirect and the Direct Semiconductors : New Interpretations of the Transition Type of Semiconductors. 電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術. 間接遷移型半導体としては、Si、Geなどがありますが、ほとんど発光しないことから発光素子としては不向きであり、主にダイオードやトランジスタなどに用いられます。 2．半導体材料と発光波長との関係. 半導体レーザなどの半導体素子における発光波長は、その半導体素子に使われている 半導体材料が持つバンドギャップEgの値で決まります 。 すなわち、 半導体素子の放出するエネルギーはEg になります。 一般に、エネルギーEと波長λの関係は、次式で表されます。 E = hν. = hc/λ ・・・（1） ここで、hはプランク定数、νは光の振動数、cは真空中の光速です。 式（1）より、 エネルギーEは波長λに反比例 することがわかります。 |fjg| lfi| ers| ycl| sib| aus| fwi| iwn| ivw| gii| blf| pae| acv| tzq| gen| cvb| rhu| sxn| nqu| mof| xqx| tga| lkd| fjc| lrc| pbq| zjx| cby| gln| yyf| hzp| wak| eqo| cbs| szm| yxm| wkb| ubs| xjq| uxt| zvj| gmb| emh| diq| vsu| ugt| avo| lrc| klg| joi|