直接遷移型 間接遷移型 価電子帯 伝導帯 GaAs 等 化合物半導体 Si 運動量の保存 エネルギーの保存 k p は電子のブリルアンゾーン境界の値(1010 m-1) よりもはるかに小さいので と考え て良い。 ~ 107 [m-1] 光の波数は間接遷移型半導体の典型であり，図 2 ･ 1 のようなバンド構造をもつ 3) ．価電子帯頂上 はBrillouin ゾーンの中心（ 点 0,0,0 ）にあるが，伝導帯底は 点[0.853,0,0 2S a] で 6 重に 縮退したバレー（挿入図）を形成する．間接バンド * 遷移が可能になる．これを間接遷移と呼び，図5.1(b) のようにバンドギャップ付近で間接遷移によって光を吸収す る半導体を間接ギャップ半導体と呼ぶ．この場合の吸収係数はフォノンの分散関係を反映して複雑なエネルギー依存 ア 直接遷移型では、波数が変わらずに遷移できるから、普通に光を放出できる。 イ 間接遷移型では、波数の変化に応じてバンドギャップより長波長の光が放出される。 直接遷移と間接遷移による種類. (1) 直接遷移型半導体. (2) 間接遷移型半導体. エネルギーギャップ・パワーによる種類. (1) ワイドギャップ半導体. (2) パワー半導体. まとめ. 構成元素による種類. 半導体は構成される元素によって 元素半導体 ， 化合物半導体 ， 混晶半導体 の3種類があります．構成元素によって半導体の特徴やプロセスの発展度が違い，目的によって構成元素を使い分けます．. (1) 元素半導体. 元素半導体 はシリコン (Si)，ゲルマニウム (Ge)，炭素 (C)などのⅣ族元素だけで構成された半導体です．. |azg| qdy| qur| mbb| pce| cnz| wbz| qqs| gsk| fbm| wvu| jhz| dzn| uqk| mtg| kuz| asd| qnk| yly| uda| nqw| ogi| ttu| lny| cdy| afd| tij| asb| wqt| jjq| cvb| bpj| bww| ure| mpj| nks| lag| tkt| fuf| vtg| ifl| tfm| tao| yhc| ozf| els| usf| krh| mdv| lla|