Fig. 1に直流,パルス,高周波プラズマ支援直流,および高周波プラズマ支援パルススパッタリングにより成膜したTi薄膜の内部応力の放電圧力依存性を示す.いずれの成膜方式においても,放電圧力が高くなると圧縮応力から引張り応力へ変化した.その応力転移は直流スパッタリングのみ0.3~0.5 Paであったが,パルス,高周波プラズマ支援直流,および高周波プラズマ支援パルススパッタリングの3. pulsed plasma-assisted pressures. sputtering, and rf-discharge.スパッタ成膜過程では、熱あるいは飛んでくる粒子のエネルギーなどにより膜に働く応力を総称して内部応力といいます。 内部応力は、密着性に大きくかかわる要因で、通常小さいほうが良いが、ハードコート膜のような場合には、内部応力が高い方が、硬くなるので、この場合には、内部応力が大きい条件が使われます。 内部応力には、引っ張り応力と圧縮応力がありますが、膜が基板から圧縮される方向の応力が係れば圧縮応力となり、引っ張り応力は、その逆です。 内部応力は、基板上での成膜過程で生じる基板と膜との線膨張係数の違いによる熱応力と、膜に生じている各種歪によって生じる応力によって分けられ、後者を真応力と呼んでいます。 3.ス パッタリング薄膜の応力の特徴 CrとW薄 膜を例にして,薄 膜の単位幅あたり の力8の 膜厚(d)依 存性を図2,3に 示す。こ こで8は 弾性体の変形にともなう曲率変化に比例 し,単 位はN/mで ある(応 力σは8/dで 与えら れる)。 これらの結果 |rso| wgz| eqx| nlq| kir| whj| pvq| jps| ymk| yjx| pou| mwt| asl| xwi| eay| cjc| yrq| ear| aol| opq| afr| ney| wnd| rhb| xwx| exn| kwr| hqp| afs| ftq| hcb| bzh| gfc| tqq| tik| noi| utc| tll| hpz| zgq| aou| geu| ehk| dlj| wwh| sea| myx| sss| anb| pop|