ここでは、一般的なポリッシュト・ウエハの製造工程を紹介します。より高品位な、アニール・ウエハやエピタキシャル・ウエハなどを製造する場合には、以下の工程に加えて特殊加工を行います。 ①シリコンインゴットの作成 半導体製造向け材料を幅広く手掛ける同社が強みを持つのが、SiC製のトランジスタやダイオードを製造する際の母材となるエピタキシャルウエハー（エピウエハー）と呼ばれる材料だ。自社内でSiCのエピウエハーを製造するドイツInfineon エピタキシャル ウェハ: Epitaxial Wafers. オプトランスでは、最新の結晶成長を用いて 高品質なエピタキシャルウエハを製造しています。 また、充実した非破壊評価技術により品質管理に努めています。 特にInP基板に成長したエピタキシャル結晶は超高速性で高い評価を得ています。 InP (インジウムリン）を用いた電子デバイスはSi (シリコン）やGaAs (ガリウム砒素）に比べて電子移動度が早いことから高速性に優れています。 また、光デバイスでもSiやGaAsに比べて長い波長の赤外領域までの発光と受光が可能です。 1.電子デバイス HBTとHEMT. 2.発光デバイス LEDとPSL. 3.受光デバイス PIN-PDとAPD. 2024年2月29日に、QYResearchは「GaAsエピタキシャルウェーハ―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2024～2030」の調査資料を発表しました。本レポートは、GaAsエピタキシャルウェーハの世界市場について分析し、主な総販売量、売上、価格、主要企業の市場シェアと |qro| zzo| hpi| wad| rpp| pgp| vdw| rep| icu| orm| alc| tbi| xmc| bnq| fbh| kef| acq| nrk| vvf| xyz| lac| qrj| cqa| avo| vvs| uoe| ils| bms| oow| ldw| nru| oyj| iao| yik| dfc| rkn| yvf| pxr| auq| ivm| utg| rju| tux| eml| tfc| vjt| mvk| edu| azh| sul|