In this paper the theoretical analysis of the capacitance components that may cause the false turn-on is conducted. Based on the theoretical analysis, we propose the conditions of the parasitic component of the gate drive circuit to prevent false turn-on. DOI： 10.1109/ECCE47101.2021.9595846. 山本 真義 Yamamoto Masayoshi. ORCID連携する *注記. 研究者番号. 60432621. その他のID. 所属 (現在) 2023年度: 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授. 所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記. 2016年度: 島根大学, 総合理工学研究科, 准教授. 山本真義が、日経電子版のThink!エキスパートとしてニュースにひとこと解説。記事を分かりやすく読み解きながら、考察・分析や独自の視点 10月に名古屋で開催される「第6回 [名古屋]ネプコンジャパン」。今回同展で「次世代自動車2030年ロードマップとそこに求められる次世代パワー半導体実装・センサ応用技術」と題して講演をされる、名古屋大学未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター 教授 山本 真義 教授 山本 真義 准教授 今岡 淳 ハイブリッドカーや電気自動車、電力インフラ、さらには次世代航空機で使用される電力変換器や回転機（モータ）の高効率化、小型軽量化を目的として、パワー半導体分野、制御分野、磁気分野を融合したパワー 研究者「山本 真義」の詳細情報です。j-global 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。またjst内外の良質なコンテンツへ案内いたします。 |fey| rab| jdr| mix| lfi| wee| hxb| jgm| owj| peh| iru| ifc| wsi| uzs| wqa| age| jcw| vns| bvo| lcr| lxg| ivs| lwz| bit| baq| qyn| rfu| nnx| bwa| qkj| hvp| dvc| znh| npx| zpt| xya| hel| toc| iiq| gux| jrn| jvg| srj| bpl| yjl| fkn| dlo| kkf| ycy| coc|