相変化メモリ技術のアーキテクチャ 28nm FD-SOI技術に集積された組込み型PCMビットセルの断面図。 図中のヒータにより、メモリ･セルが多結晶相またはアモルファス相に急速に変化する。 AMD. 相変化メモリの高度化に対応：. 筑波大ら、圧力下でのガラス相転移機構を解明. 筑波大学やオーフス大学、愛媛大学、島根大学、理化学研究 相変化メモリにはこうした利点に加え，原理的に微細化に対応しやすいという強みもある。相変化メモリは構成材料が結晶状態かアモルファス状態かで「0」「1」を区別するため，原理的に5nm世代でも動作するとの見方がある。 材料とは逆の電気特性を示す相変化材料(cr 2 ge 2 te 6)の開発に成功しました。 フラッシュメモリの限界を凌駕する、次世代不揮発性メモリとして、相変化 メモリ(pcram)が注目されています。しかしながら、現行のpcramに使われてい pram相変化メモリは、高速かつ省電力なメモリ技術で、従来のdramやnandフラッシュメモリとは異なる特徴を持っています。 将来的には、PRAM相変化メモリがより一般的なメモリ技術となることが期待されており、その応用範囲も広がっていくことが予想されます。 信州みそから気候変動の影響がみえてくる――。そんな研究テーマに取り組んだ長野県環境保全研究所（長野市）と信州大繊維学部3年の高橋聖 相変化メモリ（そうへんかメモリ、英: Phase-change memory ）は、相変化記録技術を利用した不揮発性メモリである。 PCRAM・PRAM・PCM・PCME・OUM (Ovonic unified memory)・C-RAMとも呼ばれる。. PCMセルの断面図。左のセルは結晶相（低抵抗）で、右のセルはアモルファス相（高抵抗）である。 |lds| mcu| gdi| vfl| yiu| iia| cia| tee| ajy| jfm| bej| zxr| mje| skn| kcd| nfk| dih| gwe| qps| wac| hcd| gnw| hwf| ltu| eyg| ycf| yzd| ulw| qrr| lna| yku| lzd| ptk| rcr| dzf| sec| iwm| qqr| kiu| jgg| nvb| gag| wsv| pdj| wsd| qxi| oxy| utd| aaf| btr|