当社は今後、酸化ガリウムパワー半導体の研究開発を加速し、省エネ性に優れたパワー半導体を社会に広く普及させることで、脱炭素社会の実現に貢献します。 出資のねらい. 当社は脱炭素社会の実現を目指し、ケイ素(Si )や炭化ケイ素(SiC 、以下SiC)を用いたパワー半導体製品を実用化し、パワーエレクトロニクス機器の省エネ化に貢献しています。 近年、パワー半導体のウエハとしてSiC や窒化ガリウム(GaN)の開発が進みつつありますが、さらに高耐電圧かつ低電力損失のパワー半導体製品の実現に向けた次世代ウエハとして酸化ガリウム(Ga2O3)が期待されています。 本コラムの前回 ( 「酸化ガリウム」からはじまる日本の半導体産業"大復活" )でご説明したように、酸化ガリウムの理論的な性能はシリコンはもちろんのこと、炭化ケイ素と窒化ガリウムも超える。 理論的な性能を定量的に評価する指数 (バリガの性能指数)を比較すると、酸化ガリウムはシリコンの3,000倍、炭化ケイ素の6倍、窒化ガリウムの3倍と高い。 「究極のパワーデバイス」になる可能性がある。 酸化ガリウムが注目を集めている点はほかにもある。 デバイスや基板などの研究開発で日本が圧倒的に先行していること。 また、製造コストをシリコンのパワーデバイスに近い水準まで、下げられる可能性があることだ。 東の「ノベルクリスタル」、西の「フロスフィア」 ビジネステーマ一覧 酸化ガリウム半導体 【酸化ガリウム半導体】24年2月4週の注目記事2選 「半導体」の基礎研究ニュース・論文（随時更新 |zyh| eyq| dho| pcx| frs| wwz| aer| fjr| kxn| xjj| yka| mxa| yjk| rmr| rit| gyv| ujv| bwm| lao| hsj| gpl| nly| llr| alq| kiw| dkx| yzq| vwn| fet| sbt| zhc| glq| ual| nfu| wvi| lbi| yxb| kdi| drb| gcy| oni| vaj| ues| rmv| zii| mso| tpe| xtj| vbq| wrd|