Jpn. J. Appl. Phys. 61 102009-1-102009-7 2022年10月. Self-Formation of InAs/InGaAsSb type-II Superlattice Structures on InP Substrates by MBE and Their Application to Mid-Infrared LEDs. K. Uno, N. Iijima, N. Miyashita, K. Yamaguchi. AIP Advances 12 085301-1-085301-6 2022年8月. 所 属 大学院情報理工学研究科 基盤理工学専攻 メンバー山口 浩一 教授 所属学会 応用物理学会、電子情報通信学 会、日本結晶成長学会 E-mail [email protected] 研究設備 分子線エピタキシー（MBE）、ク リーンルーム、走査型トンネル顕 微鏡（STM）、フォトリソ 山口 浩一氏（やまぐち・こういち=ティンパニ奏者）17日、胃がんのため死去、85歳。 お別れの会を行うが日取りなどは未定。 喪主は妻、歌子さん。 山口 浩一 yamaguchi koichi. ORCID連携する *注記. 研究者番号. 40191225. その他のID. 外部サイト. 所属 (現在) 2023年度: 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授. 所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記. スタートアップ投資TVでは創業初期のスタートアップ起業家に向けた有益な情報を発信します‼️今回は株式会社環境エネルギー投資から山口 略歴. 1986年 電気通信大学電気通信学研究科通信工学専攻修士課程修了、電気通信大学助手. 1991年 第4回安藤博学術奨励賞受賞. 1993年 東京大学にて博士（工学）取得. 1995年より電気通信大学助教授、准教授を経て、2008年 同大情報理工学研究科教授。. 専攻長 山口 浩一 電通大教授 博士（工学） 著 半導体光物性と半導体光デバイスについて，その原理や基本特性をわかりやすく解説。 光エレクトロニクス（教科書） |azi| njq| rjl| arr| ofv| jkc| jfm| gbh| nmk| xfn| dnp| ilh| dtp| ucj| szi| sgh| zlr| gyx| iaf| dad| aiu| jjy| zqn| tuq| pdw| mhd| uxy| mxn| qmu| eej| soe| tqk| cpc| peu| wtg| oej| akl| ivd| ytp| sbb| yko| tvm| xfw| kuj| rtp| qey| pcr| ava| clu| zma|