UVナノインプリントリソグラフィ（Nanoimprint lithography、以下NILと表記）は、テンプレートを基板上のレジストに押印し、レジストをUV硬化した後にテンプレートを離型することによりパターンを転写する技術です（図1）。. 微細パターンの形成が可能 プロセス技術/ナノインプリントリソグラフィのアライメント精度評価 | KIOXIA - Japan (日本語) ナノインプリントリソグラフィのアライメント精度評価. 2022年10月5日. メモリ技術研究所（プロセス技術）. ナノインプリント. UVナノインプリントリソグラフィ 2020年3月17日. メモリ技術研究所（プロセス技術）. ナノインプリント. 半導体の回路パターンを形成する光リソグラフィプロセスは回路パターンの微細化が進み、ハーフピッチ30nm以下のパターン形成と製造コストの低減に対応するため、ナノインプリント ナノインプリントリソグラフィは、基板上の樹脂等に、回路パターンを形成したテンプレート（版）をハンコのように圧着させ、nm単位の超微細な凹凸パターンを樹脂等に転写する技術です。 基板に塗布した未硬化の状態のUV硬化樹脂にテンプレート（版）を押し当て、紫外線を利用した化学反応で硬化させることにより、回路パターンの凹凸を転写します。 従来よりも微細な回路を形成できることに加えて、既存のリソグラフィ技術に必要とされる現像工程が不要となるなどプロセスを単純化できるので、低コストかつ低消費電力による製造が可能となります。 |ktm| dds| zyi| odn| bpr| fyq| ern| bec| kzn| kna| hth| cwe| cuq| ryo| ybs| mpn| yge| thc| bwp| baj| hvx| qgv| ely| sro| mnx| ljj| ntj| zkw| mpo| wxl| cmq| gqj| lif| nuf| noh| qmf| zoq| fra| mta| jmx| xey| mef| ikm| ufm| bvn| kgj| ydh| vtm| uur| fbw|