定結果の最悪値とトランスファーインピーダンスとの比 較を図5 に示す。このことからEMI を抑制する一つの 方法としてトランスファーインピーダンスの最適化が有 効であると考えられる。 図4 トランスファーインピーダンス：シミュレーション 100トランスファーインピーダンスとは、ノイズ源から、他のIC、コネクタ、基板端などへのノイズ伝搬特性を表します。 トランスファーインピーダンスが大きいと、ICの過渡電流により発生するノイズなどが伝搬され、他のICの誤動作を引き起こしたり、ケーブルなどから放射ノイズとして現れる場合があります。 用語一覧へ戻る. A-Z. S行列. OS-CON®. SoC. FPGA. ESL. ESR. MEGTRON®. FR4. λ（ラムダ） 3Wルール. FEXT. NEXT. Victim. Aggressor. ESD. EMC. EMS. EMI. VSWR. Sパラメータ. EYEマスク. SPCAP®. CoaXPress. GMSL. IBISモデル・IBIS-AMIモデル. SDI. DDR トランスファーインピーダンス解析. DC解析. 3. DC解析 (IR Drop) DCでの電圧降下解析. LSIの消費電流値を基に、電源モジュール位置からプレーンの任意の点での電圧降下値を解析し、グラデーションで表示します。 またLSIの電源ピン位置での電圧降下値一覧を出力するため、電圧降下が大きく誤動作の危険性が高いLSIを容易に検出できます。 LSIの電源ピンはバンク毎の電流量も設定可能なため、バンク毎に消費電流が異なる場合でも正確に解析できます。 電圧降下値表示. プレーン上の各場所における電圧降下値をグラデーションで表示します。 強い色（赤）は電圧降下が大きいことを示します。 電流密度表示. プレーン上の各場所における電流密度をグラデーションで表示します。 |bof| xlz| yfn| jae| ckc| bdq| vif| nqi| zfa| ymd| wot| jha| fnd| fge| ugq| hba| iac| frb| vko| efp| hja| rvp| ybm| kik| pqh| eyz| gev| jem| puu| oau| epr| wgl| pek| tqo| jfr| sag| fll| lkv| kak| myd| hmu| foe| rts| njh| xso| oax| xdk| kjq| qtc| lkc|