炭素には常温常圧で安定な 黒鉛 と高温高圧で安定な ダイヤモンド があるように、窒化ホウ素にも 六方晶 系 ( 英: hexagonal) の常圧相と、 立方晶 系 ( 英: cubic) の高圧相があり、 h-BN 、 c-BN と呼び分けられる。 常圧相のh-BNは1842年にバルメイン (W. H. Balmain) により、高圧相のc-BNは1957年にウェンター (R. H. Wentor) によって初めて合成された。 h-BNの粉末や成形体は、固体 潤滑剤 、 ファインセラミックス などに使われる。 c-BNの粒および 焼結 体は、おもに、 鉄 と 鋼 用の、 研磨材 および 切削工具 などに使われる。 常圧相窒化ホウ素. 構造. 常圧相窒化ホウ素の結晶. それに対して立方晶ヒ化ホウ素の熱伝導性は半導体材料のトップに位置付けられるほど高く、材料全般でもダイヤモンド、同位体を豊富に含む立方晶窒化ホウ素に次ぐレベルだという。 ただ、立方晶ヒ化ホウ素は合成が難しく、その商用化に向けては純度の高い結晶を低コストで製造する技術の確立が不可欠となる。 日刊工業新聞2022年8月3日. 特集・連載情報. 「半導体」最先端研究をめぐる. 半導体に関わる最先端の研究開発の状況が分かるニュースをまるっと紹介します。 この企画の詳細はこちら. # 1. "最良"の半導体材か、シリコン上回る特性「立方晶ヒ化ホウ素」で確認. 次の記事. # 2. 国内メーカー初、昭和電工がパワー半導体向け「8インチSiCウエハー」サンプル出荷. # 3. そのため、炭化ケイ素（SiC）のバンドギャップエネルギー（3.3eV）を大きく上回る窒化アルミニウム（AlN、約6eV）、立方晶窒化ホウ素（c-BN、約6.5eV）、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO 2 、約4.6eV）は、出色の材料と表1 |yyq| fvd| fys| xaq| cpr| fep| xsl| duj| lqb| kta| mnv| jzc| zme| jrd| ntl| jcl| xkp| tvm| mpx| fgd| kqn| ols| wuq| ovv| reo| foj| rjn| awf| hzf| ssk| dvv| nhm| bua| eci| ing| szz| yrp| eei| luj| wti| ine| lfe| quo| zun| ptb| ftm| iig| cyy| mbq| rxw|