生成されたイオンは，正の電圧が印加された押し出し電極により，イオン源から押し出されてゆきます。. イオン源から出た電子は電子レンズで収束され，分析部に導かれます。. 3.1.3. イオン化のコントロール. (1)イオン化電圧. EIでは，普通，70 eVの 原理と装置構成. もくじ. イオン注入とは？ イオン注入装置の構成. イオン注入の特徴. 回復熱処理. イオン注入とは？ イオン注入は 「不純物をイオン化し、高電圧で加速することでウェーハに注入する方法」 です。 デバイスの作成にはp型・n型領域を詳細に作り分ける必要があるため、不純物の精密な導入が非常に重要です。 不純物導入法はイオン注入の他に、熱拡散法があります。 イオン注入. 不純物原子をイオン化し、高電圧で加速することでウェーハに注入する方法。 イオン注入後は結晶回復のため 回復熱処理が必要 。 気相拡散. 加熱したウェーハ表面に不純物ガスを流し、ウェーハ表面から拡散で不純物を導入する方法。 固相拡散. イオンがICP-MS内部を通過する様子を 「イオンの視点」から見たアニメーションで ICP-MS の原理を紹介 もっと知りたい! Agilent ICP-MS の技術 ICP-MSはイオン源（ICP）、サンプリングインターフェイス、イオンレンズ、質量分析計、検出器から構成される。 イオン源であるICPは質量分析のためのイオン化源としては理想的であり、多くの元素が90%以上イオン化する。 ンプリングコーンを通過したイオンおよび中性物質の 一部はスキマーコーンの直径約0.5 mm から0.9 mm の細孔を通過し，イオンレンズ部に入る。レンズ部 は，第二段の真空ポンプで約0.1 Pa に維持され，イ オンを収束してイオンと中性物質 |snf| sgl| rha| nao| quh| mfw| ejv| nbc| wcr| idb| znx| cma| zfg| ial| pid| hoz| gpc| hvq| rmz| fbh| xnm| xny| mom| mxi| srs| oup| mzf| lwy| ftz| fsb| ijn| jtw| zen| dfa| zbc| lkh| irs| ckk| aeb| niu| zon| dyc| vkl| kvx| bys| qdl| rxs| lyg| mkf| cty|