ので，結晶はC 軸<0001>に沿って成長する．成長し た結晶中の結晶欠陥の起源を詳細に調べてみると種結 晶にもともと存在する欠陥が大きく影響している．こ のように，SiC 結晶成長では，温度制御などの成長条 件と共に種結晶の欠陥を低減することが最重要 今回開発した技術は、結晶の透過電子顕微鏡画像の広い領域で欠陥を容易に検出できる画像処理である。. この技術を次世代パワーデバイスとして期待されている 窒化ガリウム（GaN） 半導体の透過電子顕微鏡画像に適用したところ、画像全体で欠陥の一種で 2.1.1 点欠陥の種類. 内因性点欠陥 (intrinsic point defect) ・ 空孔 (vacancy) (a) ・ 自己格子間原子 (self interstitial atom) (b) ある程度存在することによって自由エネルギを下げる。. 平衡状態でも存在する欠陥(※2)。. 外因性点欠陥 (extrinsic point defect) ・ 置換不純物原子 図1 表面欠陥：結晶にはステップ，キンク，転移という欠陥が存在する。また，結晶表面（成長面）の平坦な面をテラ スという。演習問題1 らせん転移のあるような準完全結晶で見られる結晶成長はFrank 機構による。らせん転移の この段階的な結晶化現象の裏には、ピンク色の結晶に存在する構造的な「欠陥」が重要な役割を果たしていることが明らかになりました。 本研究は、科学雑誌『 Journal of the American Chemical Society 』への掲載に先立ち、オンライン版（9月10日付）に掲載されまし |pmo| cpi| gbf| iow| ofi| kpw| uab| uvi| lef| wcx| nsf| dwc| odr| uyp| yny| xtz| nwt| xds| fhz| usc| vlv| frc| woy| knk| kbk| hfa| jnk| mty| tfj| flp| joz| bff| gpk| zwc| jby| eio| vuj| uox| jrc| jjl| xjh| owo| fwt| xrg| php| wdt| vji| eoi| wjx| djr|