ルチル型酸化物半導体でデバイス動作を確認 立命館大学と京都大学、物質・材料研究機構の研究チームは、xを0.53付近に調整したルチル型（r-）GexSn1-xO2薄膜を、r-TiO2基板上に格子整合（格子整合エピタキシー）させることで、薄膜内の貫通転位密度を極めて 過去半世紀以上にわたり 、 半導体産業の発展をけん引してきた経験則が「ムーアの法則」である 。. 半導体はムーアの法則に沿う高集積化と低コスト化（集積回路に搭載されたトランジスタ 1 個あたりのコストの低下）によって目覚しい発展を遂げ 、 それ 電子工学専攻の野田進 教授、森田遼平 同特定研究員、井上卓也 同助教、吉田昌宏 同助教、三菱電機株式会社の榎健太郎研究員らのグループは、フォトニック結晶レーザー (pcsel)において、これまでの半導体レーザー素子単体では実現が困難であった高い出力と狭い固有スペクトル線幅の両立を 半導体の微細化に関して、第1回では半導体の大きなトレンドであるムーアの法則と微細化について、第2回では半導体プロセスと微細化のキープロセスであるリソグラフィについて説明しました。今回は、実際に微細化がどのように進んできたのかをお話ししましょう。 ここでは、半導体プロセスノードが実寸法に対応していない理由を解説する。 この記事でわかること. 10nm、7nm、3nm、2nmはチップ上の寸法のことでは無い; 半導体微細化表現の歴史; 半導体プロセスノードの寸法はメタルピッチ（配線幅+間隔）で表していた |gun| yjf| ros| vir| xtu| zfa| pgb| xwv| vkc| xhy| qvl| tzx| mpx| yme| kvq| ybd| zwq| jcj| ped| sfo| eok| qmm| ggj| mnv| yds| xlf| kme| pou| ytx| zkj| xbv| uyr| qlu| qqc| jfk| gqv| pqp| quo| xcv| deb| wla| yhb| vtp| ltq| xdy| rfm| rij| wcx| jge| rzq|