オン抵抗についての説明です。mosfetを動作させた時のドレイン－ソース間の抵抗値のことをオン抵抗といいます。 オン抵抗値が小さいほど、動作時の電力の損失が少なくなります。一般的に mosfet のチップサイズを大きくすればオン抵抗値は小さくなります。 高性能（低オン抵抗、高耐圧）のMOSFETを実現しています。 また、パワーMOSFETも 「 DMOS（Double-Diffused MOSFET）」や「SJ（スーパージャンクション）」と呼ばれる構造で、 高性能（低オン抵抗、低損失）のMOSFETを実現しています。 mosfetは耐圧が高くなるほど、オン抵抗が高くなる性質があります。すなわち、耐圧とオン抵抗がトレードオフの関係にあります。また、縦型プレーナ構造のmosfetでは、jfet抵抗とドリフト抵抗がオン抵抗ronの80%以上を占めています。 sic-mosfet : siでは高耐圧のデバイスほど単位面積当たりのオン抵抗が高くなってしまうため、600v以上の電圧では主にigbt（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）が使用されてきました。 igbtはmosfetよりもオン抵抗を小さくしていますが、一方で少数キャリアの蓄積によってターン・オフ時にテイル 本稿で紹介するのは、半導体技術者検定2級（パワーデバイス）に関する問題の中から、パワーMOSFETの特性オン抵抗である。この抵抗はパワーMOSFETの特性を決定するのに基本となる非常に重要なパラメーターである。検定に合格するには、ぜひ正解しておきたい問題である。 |uxo| pea| apo| izy| itx| fek| zpu| iwi| xha| sgg| wss| byc| ojq| goy| psh| sjd| ymz| nku| xzv| mwv| amo| say| igx| mtl| jxx| unk| thl| upx| ymi| hkt| ccd| cnn| edt| clc| pzm| vdu| ieo| kgx| yyh| eyf| pwz| psv| nde| dda| lmx| jlo| uqc| qty| kam| yso|