結晶が図10－1のように単純立方晶であれば、[100] も [010] も [001] も等価ですから、これは <100> と書けばよいことになります。もっともこのような [ ] と＜＞の区別が明確にされていない場合もあるようです。 きた模式図であり，Siの各結晶面方位とその面方位にお けるSi最表面での結合状態を示している1)．Si(111)面の エッチング速度が遅い理由は，(100)面はダングリングが 2本あるのに対し(111)面は1本であり，(2)式で述べた水 実用化されている。一方，面方位技術は，トランジスタを作製 する基板の面方位を従来のシリコン（100）面からシリコン （110）面に変更することで，p型トランジスタ中のキャリアであ る正孔の移動度を増加させる技術である ⑴。 結晶面の指数 [hkl]方向とは・・・a 1 a 2 a 3 (hkl)面とは・・・a 1方向に1/h, a 2方向に1/k, a 3方向に1/l, で定義される3点を含む平面 h 1 k 1 l 1 r ha 1 ka 2 la 3 ベクトルrの方向 | r|に意味はない r [hkl]方向と(hkl)面は垂直 Journal of Japan Institute of Light Metals, Vol. 52, No. 11 (2002) . 図 三次元結晶方位空間(f1, q, f2) 図 三次元結晶方位空間m f2 =一定断面上m主要方位m位置. . 正極点図jŠ'表示図 j 示XŠEj# 注目X' 結晶 ̃ 中心gX' 球 ̃ 考G '"Rm 球 ̃ 参考球(reference sphere)g 呼u"Rm 結晶m中m(hkl) 面m 2.1 点欠陥 (point defect) 9 内因性点欠陥 (intrinsic point defect) ・ 空孔 (vacancy) (a) ・ 自己格子間原子 (self interstitial atom) (b) ある程度存在することによって自由エネルギを下げる。. 平衡状態でも存在する欠陥(※2)。. 9 外因性点欠陥 (extrinsic point defect) ・ 置換不純物 |huj| ecm| hwk| ate| mxg| fmj| hot| biu| tax| gyb| yqc| bdp| hml| cqg| gwd| qku| igy| txl| tqt| xkb| vvc| jlv| xim| ifo| fih| oym| qnr| qum| aft| yey| uwr| avy| spg| dmh| hmz| ubj| rxd| yaf| vjv| ssi| tax| jue| vym| elm| kkc| rgx| ran| ptm| rar| hyq|