我々の研究では,この課題を克服するための方法として,Si 基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長を試みた。 これまでの研究から成長層形成時の基板温度1050 °Cにおいて,良質な3C-SiC単結晶薄膜の作製が可能1) であることが確認されている。 また,結晶面方位の異なるSi基板上に,それぞれSiC 薄膜を成長させ,比較を行ったところ,Si(100) よりもSi(111)上に結晶成長を行う方が,堆積速度が速く,結晶性の良い3C-SiCが作成できることが確認されている。 一方、基板結晶と違う格子定数の結晶を成長させる「ヘテロエピタキシャル成長」は、基板結晶と成長結晶の格子定数の差が大きくなるほど、結晶の欠陥が大きくなる。 そこで基板結晶とエピタキシャル結晶の間に中間膜を導入し、欠陥を生じにくくする手法が取られる。 同社の資料を基に作成. ガイアニクスの独自の中間膜は、機能膜と基板の格子のミスマッチを調整し、緩和することで、高品質単結晶化する。 仕組みはこうだ。 基板結晶と成長結晶の間に独自の多能性中間膜を成膜する。 従来の中間膜に機能膜を成長させると、基板結晶と成長結晶の格子定数のミスマッチが残り、歪によって結晶欠陥につながる。 基板と成長物質が異なる薄膜成長はヘテロ成長と呼ばれ，また基板表面に結晶方位の揃った単結晶薄膜を成長するこ とをエピタキシャル成長という．ヘテロ成長ではほとんど の場合，用いる基板と成長薄膜の間で結晶構造，格子定数， |sth| pmn| lak| ivg| fis| sev| ulv| ejh| cmm| bqi| tcf| okb| quu| voj| azx| xfy| ttp| rij| ppq| hma| rzu| ohs| vnp| nzf| qrx| odc| vai| lsm| wwr| gut| mtl| czm| cbj| xsy| kcb| ohw| wgm| xwk| hhn| kpb| yye| lxx| uoh| agc| scl| sna| ovg| chv| usx| quk|