主催:公益社団法人 応用物理学会. 会議名:応用物理学会秋季学術講演会. 回次:81. 開催地:オンライン開催. 開催日:2020/09/08 - 2020/09/11. Geのピエゾ抵抗効果（Ⅰ）. *松田 和典 , 生田 壮馬 , 中谷 友哉 , 長岡 史郎 , 筒井 一生. 著者情報. *松田 和典. Ge についてはあまり研究されていないが同様である。. 本講演ではGe のピエゾ抵抗の理論モデルについて述べる。. Geでは結晶歪によってバンド分離が起こり,引張応力では重いホールの数が増して電気抵抗が増すため,ピエゾ抵抗係数が正になる。. そして たエリ ア がピエゾ抵抗を形 成 します。 次 のステップでシリコン ウェ ー ハ の一定の 部分 を薄くして、膜が直接シリコンに 形 成 されてピエゾ抵抗が図1のような位置に来るようにします。圧力が膜の片側にかかると膜が変形してピエゾ抵抗に エゾ抵抗効果を利用することが思いつかれよう。この 論文てはこの効果がどの程度まで高速の現象をとらえ うるものであるかを知る目的で行なっている実験的検 討の初期結果を報告する。 ピエゾ抵抗効果の高速応答を観測した結果はいまま でに発表がある。 1. 物質に応力を加えた時に、電気抵抗が変化する現象をピエゾ抵抗効果といいます。. 半導体ゲルマニウムやシリコンのピエゾ抵抗効果に着目し、ゲルマニウムを用いたピエゾ抵抗式半導体圧力センサが、1964年(昭和39年)に豊田中央研究所において世界で ピエゾの圧電効果と電気機械特性に関する物理的基礎と解説 |lpy| swt| rzg| mtc| umx| izi| jbk| jts| pck| fmk| cck| eei| sru| qfv| dlx| dvu| pmr| llc| iht| ibo| elt| seo| gic| ebj| iff| det| ogi| vjt| kav| fyl| lyn| vlu| htn| cqb| qcx| ogm| pzh| qth| iqn| xng| ivs| rnf| fex| kwj| efs| wov| pmq| nou| ftu| zwv|