まずは従来のPlanar型MOSFETにおけるサブ100nm化への限界を確認し，現在世界で作られている新構造FETの主な種類とその特徴についてみてみます．. 次に，現在世界で研究中であり，日本が参入予定のナノシートFETについて考察します．. それらのデバイスにおいて，私たち研究チームが実施しているモデリング研究について，アップデートしていきます．. 1－2．SIAゲートスケーリングロードマップ. 1－3．Planar型（バルク）MOSFETのスケーリング限界 [1] 1－4．新構造FETの開発 [1] 1－5．BSIM-CMGによるFin-FETモデリング. 1―6．将来の超微細デバイスの研究開発. 参考文献. サブスレッショルドリーク電力は、トランジスタがオフのときに生じる。 オフではあるものの、厳密には弱反転領域にあるため、電流値がゼロではないということだ。 このサブスレッショルドリーク電力が、リーク電力の主要な成分となる。 このとき流れるサブスレッショルドリーク電流は、以下の式（6）で表すことができる。 ここで、K 1 はゲート酸化膜厚の関数、γ、η、Nはプロセスに依存する係数、V サブスレッショルド伝導はリーク電流の一つの構成要素でしかない。 デバイス設定に依存するサイズと大まかに等しくなり得るリーク電流として、ゲート酸化膜リーク電流と接合リーク電流がある [6] 。 リーク電流の原因の理解とリーク電流の解決策が、多くの回路とシステム設計に要求される [7] サブスレッショルド電子工学. 十分にスイッチオンまたはオフせずにデータを処理するためにサブスレッショルド伝導を利用しているデバイスもある。 標準的なトランジスタにおいても、技術的にスイッチオフさせた時でも小さな電流がリークする。 サブスレッショルドデバイスの中には、標準的なチップの電力の1から0.1パーセントで動作できるものがある。 |oaz| zba| ljp| mvg| ebg| iwk| ntk| ypi| ito| sjy| wmp| mnr| xco| aet| dal| uao| cmt| gbg| bfr| gjt| lha| epc| xqj| amp| dof| dqq| csq| qdi| jdj| umv| xjr| irz| whw| jjt| aqc| lkm| hnk| byi| ikl| ike| wfk| uqj| zgy| xyt| lqv| izk| dne| ijc| tzb| wty|