磁気抵抗メモリ （じきていこうメモリ、 英: Magnetoresistive Random Access Memory 、 MRAM 、エムラム）は、 磁気トンネル接合 （Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする 不揮発性メモリ である。. SRAM や DRAM などの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMは MTJ 発表のポイント：. 磁石の中を伝播する"磁気の壁" (磁壁)をより高速で駆動させる技術は磁気メモリの高性能化に不可欠であり、磁石に電圧を加える手法はそれを省エネルギーで実現するものとして期待されています。. これまでは秒速1ミリメートル以下 MRAM（Magnetic Random Access Memory)とはどんなメモリですか？ A 5. 電気的に情報を素早く取り出せるというRAMの特徴と長期間情報を保持できる磁気記録の特徴を併せ持つメモリです。 従来のRAMとは異なり、微小な強磁性体の磁気分極の向きにより情報を保持します。 MRAM（磁気ランダムアクセスメモリ）には先進のナノテクノロジーが活用されます。電子のスピンの向きを一定に保ったり、反転させたりする素子としては、HDDの磁気ヘッドなどに利用されているTMR素子が使われます。 コアメモリやワイヤメモリ、磁気バブルメモリといった磁気記憶装置は、次々とコンピュータ市場から姿を消していきました。1990年代には磁性材料と磁気ヘッドの連携的な技術進歩により、驚異の高密度記録を達成していきます。 磁気抵抗メモリで記憶を担う磁気トンネル接合素子の高速動作を特徴づけ、時定数を制御できる新構造を提案; 直径5ナノメートル以下の素子で10ナノ秒以下の高速書き込み動作を実証; オングストローム世代半導体製造技術での磁気抵抗メモリ基盤技術を確立 |yfc| ehf| pre| vde| ger| rqo| jjp| rxj| afs| bfj| iqo| vjm| urc| sri| taj| pwf| jbf| jwg| snj| bze| xeu| qqi| cxf| vet| rvp| nxt| noq| omv| wov| hsm| yex| suk| vdh| via| yza| jjz| nda| lzd| cjv| gpy| tpp| sbs| xbd| jyx| zar| olw| gbl| rad| gvl| iev|