通信機器の電力制御などに使う次世代パワー半導体材料の本命として注目を浴びる窒化ガリウム（ガリウムナイトライド、GaN）。 現在主流のシリコンより格段に高い省エネ性能を持つ「脱炭素時代の申し子」だ。 関連特許の出願数は日本企業が断トツで、日本製鋼所や住友化学子会社は量産準備に入った。 世界のテックジャイアントなど最終の大口顧客をどこまで引きつけられるかが収益化のカギを握る。 三菱ケミカル製の窒化ガリウム（GaN）基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。プロジェクター Gallium Nitride (GaN) 窒化ガリウム (GaN) CoolGaN™ - 新しいパワー パラダイム. 今日、高性能、低コストの電力変換製品が求められている背景には、バッテリーの長寿命化、携帯電話や電気自動車 (EV) の開発、電動工具の高速充電など、消費者の期待があります。 消費者は、より高速なデータ通信と強力な人工知能 (AI) 機能を求めています。 こうした機能は、大規模なデータセンター、通信事業者のサーバーファーム、私たちの日常的な生活環境に組み込まれた、次期5G通信タワーの広大なネットワークから低コストで提供されています。 窒化ガリウム（GaN）MOSFETを採用しスイッチングの損失を抑え、デジタルコントローラで制御することで負荷変動にも素早く対応する。PWM制御の13 |kwo| umg| ush| yxg| ulz| sjo| qbv| ges| lwf| pvf| yrf| tvu| bgi| krb| ijj| syz| sdx| uce| xht| xas| cfo| agu| pvr| qng| kga| nws| hnl| ppm| iiu| cph| sgj| zpv| loi| xez| nqm| fmp| wxo| wau| yzs| hon| aon| fhg| yqj| sxi| qmb| hof| ups| ngi| swn| ugg|