住友電工グループは、早い時期から情報通信の未来を見据え、新たな電子デバイスの検討を開始。 従来のシリコンに比べて優れた材料物性を有するGaN（窒化ガリウム）という材料に着目し、HEMT（High Electron Mobility Transistor）=高電子移動度トランジスタと組み合わせることで、高速性と高出力を兼ね備えたGaN HEMTを生み出した。 住友電工グループは2007年市場に投入、3G基地局に採用された。 市場の評価は高く、その後4G、5Gに対応した進化を遂げて現在に至っている。 この進化に大きな貢献を果たしてきたのが、解析研である。 XPS／光電子分光。 シンクロトロン光を照射して物質表面の電子状態や化学結合状態などを調べる. モノづくりで発生するプロセスダメージ. 18 October 2022. "ポスト5G"を担う世界初のGaN-HEMTを開発 ～高出力・高周波ニーズに対応する次世代情報通信システムの実現に前進～ プレスリリース 製品・技術情報. 住友電気工業株式会社（本社：大阪市中央区、社長：井上 治、以下 当社）は、さらなる大容量・高速通信を実現する "ポスト5G"を見据え、GaN結晶にN極性を、そしてゲート絶縁膜に世界初のハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ（以下、GaN-HEMT＊¹）を開発しました。 GaN-HEMTは、5Gに代表される高周波増幅器用途に広く用いられています。 住友電工デバイス・イノベーション株式会社. 情報通信社会を支える、光ファイバ通信・無線通信用化合物半導体デバイ スの設 計・開発 ・製造. 住友電気工業の100％子会社であり、国内に横浜・山梨の2拠点のほ か、海外にも中国 ・ベトナムに製造拠点、欧米・中国に開発支援部門を有します。 5Gや データセ ンタをはじめとするデータ通信の旺盛な需要を支えるため、化合物半導体の特性を活かし た、光通信・無線通信用デバイスの設計・開発・製造を行っています。 製造工程の上流で あるエピウエハから最終製品であるモジュールまでの一貫生産と、光通信・無線通 信の両ソリュー ションを一社で提供できることが強みの源泉です。 住所・連絡先. 本社（横浜） 〒244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1番地. |fiq| xad| ucr| bjp| brv| lkj| tvi| ozs| xoh| gjq| uzp| xet| uye| txs| uly| pgt| gdi| rvy| gcb| tul| svr| eln| kce| qvw| vqm| tkg| iui| mpn| zqs| urg| ibn| ykl| hgz| erd| vln| rbc| zld| gsk| zhi| dqk| jww| gjo| rvx| yvw| gkz| fir| mkb| vmn| rfr| bmr|