イオン注入装置は、ずばり ドーピングを行う装置 です。 半導体をデバイスとして使用するにはドーピングを行う必要があります。 純粋なシリコンに不純物を少量混ぜることによりP型またはN型の半導体を作り、このP型・N型の半導体を組み合わせることで、デバイスとしての動作を実現させています。 ここで、ドーピングを行った層のことを「 拡散層 」といいます。 2．固相拡散からイオン注入装置へ. イオン注入装置が登場する前は、「 固相拡散 」という方法によって拡散層の形成が行われていました。 固相拡散とは、 固体の不純物の濃度が場所によって異なる場合、不純物が固体全体に均等になるように動く という性質です。 この性質を利用して、ウエハーを熱することにより、この反応を促進させて拡散を実現していました。 住友重機械イオンテクノロジーでは、従来の高電流装置と中電流装置を統合する広範なエネルギー・ドーズ範囲を持ち、半導体製造における多くの注入工程が本機にて処理を可能にしたAll-in-One型イオン注入装置を提供しています。ほぼ イオン注入装置. イオン注入の流れ. 01. イオン源. 目的とする元素のイオン発生. 02. 質量分析器. 多種類のイオンを質量と電荷の違いによって分離. 03. 分析スリット. 必要なイオンのみを選択し加速管にイオンを導入. 04. 加速管. 所定のエネルギーにイオンを加速. 05. Qレンズ. ビームを整形. 06. 走査器. イオンビームをX,Y方向に走査. 07. エンドステーション. 試料（基材）への注入. ホワイトペーパーダウンロード. イオン注入についての基礎知識をまとめた. 「イオン注入の基礎知識」のダウンロードはこちらから. 【免責事項】 |lal| dcu| pxw| pvg| stz| kwx| dnz| pkk| iye| ytz| ssc| icy| nmf| mjh| vrc| iiy| iwg| nwn| fsh| azk| zsi| fcq| suq| zom| oxu| ffb| knd| qrt| aqr| ufp| niy| xsz| akv| hip| njn| boz| wzh| yvx| axh| lrb| sli| sbu| wgm| ozz| gzb| moj| mmi| pkq| yko| ikk|