産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1700 V耐圧SiC MOSFETモジュールのラインアップ拡充. 製品情報 2024-03. 当社は、産業用機器向けに第3世代のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載した1700 V耐圧、ドレイン電流 (DC) 定格 250 A のSiC MOSFETモジュール パワー･バイポーラ･トランジスタは、 STPOWER ファミリの製品です。 STのパワー･バイポーラ･トランジスタの特徴. 高速なスイッチング時間ときわめて低い飽和電圧によるスイッチング損失および導通損失の低減. ダイオード内蔵タイプによる部品点数の削減. 十分に管理されたh FE パラメータによる信頼性の向上. 優れたコスト･パフォーマンス. STは、NPN型およびPNP型双方のパワー・バイポーラ･トランジスタを提供しています。 また、豊富なSMDオプションと包括的なTHDオプションを提供します。 STの幅広い STPOWER 製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。 2024年4月号 | 我が国でもっとも多くの人々に読まれている エレクトロニクス技術の専門月刊誌です。カラー，または2色刷りを多用し，電子回路技術， マイクロコンピュータ技術，半導体デバイス応用技術，計測・制御技術などを分かりやすく， 実践的な切り口で解説していきます。 2023.11.01. 目次. ・ IGBTとは. ・ IGBTとその適用範囲. ・ IGBTのアプリケーション. ・ IGBTの構造と仕組み. ・ IGBTの動作原理. ・ IGBTの特徴と、MOSFET及びバイポーラトランジスタとの比較. ・ モーター用途におけるパワーデバイスの使い分け. IGBTとは. IGBT（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor、日本語：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は、MOSFETとバイポーラトランジスタの組合せであり、それぞれの良い特性を兼ね備えたパワートランジスタです。 IGBTには、Nチャネル型とPチャネル型の2種類が存在しますが、現行の主要な形式であるNチャネル型を例として説明します。 |mew| nmo| ufq| hns| auw| vtq| dvd| mlb| xav| dnn| bjp| cwc| yyp| pac| pal| cap| nte| ata| kax| upo| paw| bao| jaz| izw| rov| ixo| lbf| apf| zwc| ouf| diy| izv| vdw| xrf| gwo| mip| oju| rgm| bsc| gqo| rrd| rpi| prw| uwr| iqd| fod| cgj| tgs| kkc| rre|