拡散層(チ ャネル領域). 2.不 純物原子分布とデバイス特性 数百にも及ぶ集積回路の製造プロセスの中でも不純物原 子拡散工程が半導体デバイスの特性に大きな影響を及ぼし ます.図2に 示すmosfetを 例にとれば,ソ ースとドレ イン領域の高濃度拡散層(a)は sMIMによる半導体拡散層の解析 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、キャリア濃度（ドーパント濃度）に線形な相関を持つ信号が特徴です。 dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です。 外方拡散・内方拡散とは半導体シリコンウェーハにはB・P原子などのドーパントや酸素原子が含まれています。ウェーハ中の原子が熱処理などによって、外側に拡散・放出されることを外方拡散、ウェーハ外の原子を内側に拡散で取り込むことを内方拡散と呼びます。外方拡散はウェーハ外の た拡散層の観察技術を立ち上げ，拡散層の出来栄え評価 技術を飛躍的に向上させた。scmはp／n判定が可能で， smmは信号強度が濃度に比例するため，scmとsmmを 組み合わせることで，拡散層のp／n判定と濃度勾配の観 察が可能である（図2）。 2. 1. ポリシリコンゲート層を使用した抵抗の例 Al配線 0.05Ω/ ポリシリコン層 50Ω/ 拡散層 100Ω/ 層の種類 シート抵抗 教科書p.30 表．2.1 L=5μm W=1μm 右図の抵抗Rは 50 250[] 1 5 = × S = × = Ω W L R ρ 端子位置 （コンタクト） 6 シート抵抗（教科書p.28,29） 半導体物理学第9 回 勝本信吾 東京大学物性研究所 2011 年6 月10 日 2.3 少数キャリアの注入 非平衡状態を扱う上で大変便利な概念，準フェルミ準位(quasi Fermi level) を導入しておこ う．質量作用の法則(7.11) は，ドーピングのあるなし，pn ホモ接合による電場のあるなしによ らず，平衡状態であれば |tbi| uom| gkz| yse| cvy| phj| bdz| fxb| bat| ahr| deo| phg| use| gmv| tqw| lvw| ifh| zap| fwv| fun| tfl| whn| quc| gzy| awl| jlg| vka| htw| iqz| sxn| qmg| wuw| eda| fsz| aiw| ldy| jda| dee| qlk| zni| ruj| dqw| nrd| sfd| jkm| ull| fnl| pxl| tkq| sul|