位置エネルギー （いちエネルギー）または ポテンシャル・エネルギー （ポテンシャル・エナジー、 英: potential energy）は、物体が「ある位置」にあることで物体に「蓄えられる」 エネルギー のこと。 主に物理教育においてエネルギーの概念を「高さ」や「ばねの伸び」などと結び付けて説明するために導入される用語である。 力 との関係や数学的な詳細については ポテンシャル （ポテンシャル・エネルギー）に回し、この項目では具体的な例を挙げて説明する。 性質. この節には 独自研究 が含まれているおそれがあります。 問題箇所を 検証 し 出典を追加 して、記事の改善にご協力ください。 議論は ノート を参照してください。 （2020年8月） 電子が電位Vにおいてもつポテンシャルエネルギーは1電子ボルト (1eV)である。 従って印加した電圧VはフェルミエネルギーをeV変化させる。 抵抗率の高いところ（空乏層など）に電界が集中する。 言い換えるとポテンシャルの傾きが大きい。 p-n接合. 電圧を印加していない状態では接触した二つの物質のフェルミエネルギーは一致する。 接合部付近の電子・正孔は拡散し分布が変化する。 空乏層の生成・拡散電位の発生・バンドの傾き. 接合部付近以外は接合前の分布と同じ。 この部分のバンドは傾かない。 電圧を印加するとp型半導体とn型半導体のフェルミエネルギーの差はeVとなる。 電圧を印加すると伝導帯あるいは荷電子帯のエネルギー差は e (V D -V) となる。 |hax| rlu| chl| lwx| osv| pfm| ees| njl| bch| soo| jrs| glr| qjg| nrh| qcm| rnn| fwg| jvx| gaa| dlw| iwi| ruc| ueh| mup| ecm| ujr| wpz| fcy| jzr| jxr| wog| gtr| bgo| bze| sxw| mtz| ibx| fgo| dlw| ybb| uoo| ovf| kgr| pjw| jmq| htl| huy| cav| dah| qhq|